SiC DHTOL 碳化硅动态老化系统

产品介绍：SiC动态工作寿命测试系统 (DHTOL2000-SIC)

DHTOL2000-SIC动态工作寿命测试系统是一款专为第三代半导体器件（如SiC MOSFET）设计的高性能老化测试设备，广泛应用于5G通信、功率电子和新能源领域。该系统结合了高密度组装与数字化控制技术，可精准模拟器件在极端工作条件下的动态性能，全面评估器件的长期可靠性。

主要特点：

• 高效多工位设计：

• 支持3个老化板通道，每通道80个独立工位，总计240个工位。

• 每工位具备独立的脉冲电压、电流测量电路，互不干扰，确保高效稳定运行。

• 强大的测试能力：

• 电压范围： 0~1200V (Vpp)，满足高压器件测试需求。

• 频率范围： 50kHz~500kHz，占空比20%~50%。

• 栅极电压： 正压3~15V 负压-1~-15V，连续可调。

• 温度控制： 支持室温至200℃，温度监测误差≤±2℃。

• 快速切换：

• 支持快速测量Rds(on)，切换时间小于10秒，240工位Rds(on)采样计算时间小于20秒。

• 完备的数据管理与安全保护：

• 软件支持自动循环加载试验，实时监控并记录Rds(on)、壳温等关键参数。

• 系统具备双重过压保护功能，异常情况下自动断电，确保器件与设备安全。

• 数据自动保存，支持EXCEL标准格式输出，便于后续分析与溯源。

设备配置：

• 控制与操作系统：

• 采用研华工控机控制，配备大屏幕液晶显示器，操作直观便捷。

• 支持多通道独立控制，每个老化通道可单独启动、暂停、继续或终止实验。

• 软件与器件库管理：

• 系统自带器件参数库，支持快速调用预设参数，简化操作流程。

• 具备实时自检功能，支持远程诊断，确保系统长期可靠运行。

DHTOL2000-SIC动态工作寿命测试系统凭借其高效的多工位设计、强大的波形分析能力以及智能化的控制与安全管理，成为SiC器件研发与可靠性验证的理想选择，为半导体行业的技术创新提供强有力的支持。