DHTRB 动态高温反偏老化系统

产品介绍：动态高温反偏测试系统 DHTRB

DHTRB动态高温反偏测试系统是专为测试MOSFET器件而设计，主要用于高温环境下半导体器件的可靠性测试。该系统支持高电压、宽温湿度范围的测试，旨在为功率器件的性能评估提供精准的数据。

主要特点：

• 高测试容量：

• 配备7层抽屉系统，每层可放置2个老化板，共支持84个测试工位。

• 每个测试区内均配有独立温控系统，可单独设定各区温度。

• 宽广的电压与温度范围：

• 直流电源电压范围：3000V，最大电压过冲<15%。

• 温度范围：常温+25℃至175℃，温度精度±2℃。

• 测试模式与功能：

• 支持直流与动态测试模式，满足多种测试需求。

• 动态测试频率为10KHz至200KHz，电压斜率可达50V/ns（Vds>1200V）。

• 智能化数据管理：

• 所有测试参数可通过电脑进行设定，如温度、电压、限流设置等。

• 测试数据以TXT格式输出，方便后续使用Excel进行处理分析。

• 可动态显示每个器件的当前测试数据曲线，支持历史数据回溯。

• 精确的监控与报警功能：

• 实时监控IR（漏电流）、VR（栅极电压）、Tc（温度）等重要参数。

• 系统具备报警信号输出，实时提示超温、漏电流过大等异常情况。

设备配置：

• 控制系统：

• 配备工业主机（研华610L），硬盘容量为1TB，运行正版Windows 10操作系统。

• 加热与测试装置：

• 配备14个独立温控加热板，确保每个测试区的温度精确控制。

• 支持TO220/TO247等封装器件，兼容3L、4L封装。

DHTRB动态高温反偏测试系统凭借其精确的测试能力和高效的数据管理功能，成为半导体器件高可靠性测试领域的理想选择，广泛适用于高压、高温环境下的半导体测试需求。