动态高温高湿反偏测试系统 DH3TRB
DH3TRB动态高温高湿反偏测试系统是专为测试SIC MOSFET器件设计的高精度设备。其主要应用于半导体器件在高温、高湿环境下的动态反偏测试,特别适用于功率器件的可靠性测试。
主要特点:
高测试容量:
测试区域包括多个工位,最大支持84个测试位置。
支持14个老化板,每板6个工位,总共可测试84个器件。
宽广的电压与温湿度范围:
电压范围:最高直流3000V,VG电源可调最大-20V。
温度范围:常温+25℃至175℃,温度精度±2℃。
湿度范围:60%至90%RH,湿度精度±3%。
动态与直流测试模式:
支持直流与动态测试模式,适用于不同类型的测试需求。
动态测试频率为10KHz至200KHz,电压斜率可达到50V/ns(Vds>1200V)。
精确的测试与监控:
主要监控参数包括IR(漏电流)、VR(栅极电压)等。
设备自动记录数据,输出TXT格式数据,便于后续处理与分析。
高效的数据管理与异常处理:
数据保存间隔可设定为最小3秒。
系统自动保存当前状态,并在断电时恢复上次运行条件,确保测试不受中断影响。
高可靠性与灵活性:
设备设计符合AQG324标准,保证高效稳定运行。
预留示波器接口,便于实时监控器件波形。
设备结构:
温湿度控制:
配备广州五所EW0420J温湿度箱,支持温度调节范围从-20℃至150℃,湿度范围为25%-98%RH。
工业控制系统:
配备研华610L工业主机,支持1TB硬盘,并运行正版Windows 10操作系统。
测试板:
配有14块DH3TRB老化板,适用于各种器件封装,支持高温环境下长时间稳定使用。
DH3TRB动态高温高湿反偏测试系统凭借其高精度、广泛的适用性以及稳定的性能,是半导体器件高可靠性测试的理想选择,满足高端制造和研发测试需求。